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    后曝光氮氣烘箱,PEB無(wú)塵烘箱

    后曝光氮氣烘箱,PEB無(wú)塵烘箱

    簡(jiǎn)要描述:

    后曝光氮氣烘箱,PEB無(wú)塵烘箱所使用的高溫(100-130&#176;C)會(huì )使光敏化合物擴散,從而消除駐波波紋.百級潔凈度無(wú)塵化,專(zhuān)用于半導體,集成電路。

    后曝光氮氣烘箱,PEB無(wú)塵烘箱應用工藝

       無(wú)塵烘箱所使用的高溫(100-130°C)會(huì )使光敏化合物擴散,從而消除駐波波紋.百級潔凈度無(wú)塵化,專(zhuān)用于半導體,集成電路。

      一種減少駐波效應的方法稱(chēng)為后曝光烘烤(PEB)。所使用的高溫(100-130°C)會(huì )使光敏化合物擴散,從而消除駐波波紋。重要的是要注意,高溫對光刻膠的有害影響,如上所述的PAB,也適用于PEB。因此,優(yōu)化烘烤條件變得非常重要。此外,曝光產(chǎn)物的擴散速率取決于PAB條件-存在溶劑可以增強PEB過(guò)程中的擴散。因此,低溫后曝光烘烤可以在給定的PEB溫度下產(chǎn)生更大的擴散。

      對于常規光刻膠,PEB的主要意義在于消除駐波的擴散。對于另一類(lèi)稱(chēng)為化學(xué)增強光刻膠的光刻膠,PEB是產(chǎn)生曝光和未曝光部分光刻膠可溶解度差異的化學(xué)反應的必要組成部分。對于這些光刻膠,曝光產(chǎn)生一小部分強酸,它本身不會(huì )改變光刻膠的溶解度。在后曝光烘烤期間,這種光產(chǎn)生的酸催化了一種反應,改變了光刻膠中聚合物樹(shù)脂的溶解度。對于化學(xué)增強光刻膠,PEB的控制非常關(guān)鍵。

    后曝光氮氣烘箱,PEB無(wú)塵烘箱性能

    潔凈度:Class100;     

    溫度:RT+15~300℃;
    工藝氣體:N2 

    計時(shí)功能:0-99H99M99S 

    設備材質(zhì):內部SUS304不銹鋼           

    工作尺寸(mm):

    450×450×450(4)

    500×500×550(6)

    600×600×700(8)

    (可定制)          

    網(wǎng)板:活動(dòng)式2塊

    無(wú)塵烘箱,百級潔凈烘箱適用性:

    氮氣烘箱也適用于IC封裝、光刻膠固化、銀膠固化、電子液晶顯示、LCD、CMOS、MEMS、醫藥、實(shí)驗室等生產(chǎn)及科研.



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